场效应管怎么测量好坏
发布日期: 2025-07-18
场效应管（FET）的好坏测量可以通过万用表（指针式或数字式）检测其引脚间的电阻或导通特性来判断，核心是验证其栅极（G）、源极（S）、漏极（D）之间的绝缘性、导通能力及击穿情况。以下是详细的测量方法，适用于常见的 N 沟道和 P 沟道 MOSFET（金属 - 氧化物半导体场效应管），结型场效应管（JFET）可参考类似逻辑：
一、测量前的准备
放电处理：MOSFET 的栅极（G）易积累静电，测量前需用导线短接 G、S、D 三脚，释放可能残留的电荷，避免静电损坏管子。
确认引脚定义：根据场效应管型号查阅 datasheet，明确栅极（G）、源极（S）、漏极（D）的引脚顺序（常见封装如 TO-220、SOP 等，引脚排列可能不同）。
万用表设置：
数字万用表：切换至 “二极管档”（Ω 档也可，二极管档更直观）。
指针式万用表：切换至 “R×1k” 或 “R×10k” 档（避免用高阻挡，防止表内电池电压过高击穿管子）。
二、N 沟道 MOSFET 的测量步骤
N 沟道 MOSFET 的核心特性：栅极（G）与源极（S）、漏极（D）之间绝缘；在 G 加正向电压（相对于 S）时，D-S 导通。
1. 检测栅极（G）与源极（S）、漏极（D）的绝缘性
G 与 S 之间：正常情况下，G 和 S 之间为氧化层绝缘，电阻应无穷大（数字表显示 “OL”，指针表指针不动）。
若电阻较小（如几百 Ω 到几千 Ω），说明 G-S 间击穿或漏电，管子损坏。
G 与 D 之间：同理，正常电阻应为无穷大。若有电阻，说明 G-D 间击穿，管子损坏。
2. 检测源极（S）与漏极（D）的导通特性
未加栅极电压时：S 和 D 之间为寄生二极管（体二极管），具有单向导电性。
红表笔接 S，黑表笔接 D：数字表显示二极管正向压降（约 0.5-0.7V，指针表指针偏转较大），这是体二极管导通的正常现象。
红表笔接 D，黑表笔接 S：电阻应无穷大（数字表 “OL”，指针表不动），若有导通，说明体二极管击穿。
加栅极电压触发导通：
用手同时接触 G 和 D（利用人体电阻给 G 加正向电压），此时红表笔接 S、黑表笔接 D，电阻应显著减小（导通状态），说明管子能正常触发。
断开 G 和 D 的连接后，若电阻恢复无穷大（或体二极管的正向压降），说明管子正常；若始终导通，可能击穿。
三、P 沟道 MOSFET 的测量步骤
P 沟道 MOSFET 与 N 沟道特性相反：G 加反向电压（相对于 S）时，D-S 导通，体二极管方向也相反。
G 与 S、D 的绝缘性：同 N 沟道，正常应为无穷大，若有电阻则损坏。
S 与 D 的导通特性：
未加栅极电压时，体二极管正向导通方向为 “D 接红表笔，S 接黑表笔”（数字表显示 0.5-0.7V），反向无穷大。
加栅极电压时：用手同时接触 G 和 S（给 G 加反向电压），红表笔接 D、黑表笔接 S，电阻应减小，说明导通正常。
四、结型场效应管（JFET）的测量差异
JFET 无氧化层，栅极（G）与源极（S）、漏极（D）之间为 PN 结：
N 沟道 JFET：G 接负电压导通，G 与 S、G 与 D 之间为反向 PN 结，正常电阻无穷大；正向（G 接正）时电阻较小（PN 结导通）。
P 沟道 JFET：G 接正电压导通，G 与 S、G 与 D 之间正向（G 接负）时电阻较小。
测量时需注意 PN 结的单向导电性，避免误判。
五、判断好坏的核心标准
绝缘性：G 与 S、G 与 D 之间必须绝缘（电阻无穷大），否则漏电或击穿。
导通可控性：在正确栅极电压触发下，D-S 应能导通（电阻减小），断开触发后应恢复截止（体二极管状态）。
体二极管正常：未触发时，D-S 间的体二极管（MOSFET）或 PN 结（JFET）应具有单向导电性，无击穿（双向导通）。
注意事项
小功率贴片场效应管引脚细，测量时需避免表笔短路。
部分大功率 MOSFET 可能内置续流二极管，需结合 datasheet 确认体二极管是否为正常设计。
若测量结果与上述特性偏差较大（如始终导通、完全截止无法触发），则可判定为损坏。
通过以上步骤，可快速判断场效应管的基本好坏，更精确的参数（如耐压、导通电阻）需专用仪器测量。
